功能描述：MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：350pF @ 15V

FET 功能：肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 4A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOIC

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：3,000

AO4772

AO4800

AO4800.

AO4800/AO4800B

AO4800A/AO4800

AO4800B

AO4800B/AO4800

AO4800B/AO4800BL

AO4800BL

AO4800BL/AO4800B